通過希捷熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)機(jī)械硬盤可以更輕松達(dá)到幾十TB的容量,單碟容量也可以做到20TB。那么這個(gè)HAMR技術(shù)到底是什么呢?有什么優(yōu)勢(shì)?
隨著數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái),人們對(duì)更大存儲(chǔ)的需求以驚人的速度攀升,越發(fā)難以滿足。硬盤容量需要不斷增加,才能滿足數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的需求。在2004年以前,主流硬盤采用的LMR(縱向或水平磁記錄)技術(shù),其原理是讓每個(gè)存儲(chǔ)位的磁極粒子平輔在一個(gè)平面上,逐漸變小的磁極例子增加了他們之間的干擾,目前硬盤廠商已經(jīng)推出了第六代PMR技術(shù),通過材料的改進(jìn),使得硬盤的存儲(chǔ)密度達(dá)到了每平方英寸620GB,但這也是PMR技術(shù)的極限了。
通過開發(fā)了 HAMR(熱輔助磁記錄)技術(shù),這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)更高容量硬盤的重要一步。為了增加硬盤容量,工程師試圖讓每個(gè)磁盤片容納更多的數(shù)據(jù)位或“顆?!保绱四芴岣呙科椒接⒋绫砻婵臻g的位密度。磁盤上擁有更多位,代表存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量越大。
HAMR技術(shù)硬盤盤片的材質(zhì)有了改變,采用鐵、鉑等合金材料,而不是目前主流的硬盤盤片為鈷、鉑、鉻與其他元素的合金。HAMR技術(shù)最大的特點(diǎn)是在硬盤內(nèi)部整合有激光發(fā)射組件,以近場(chǎng)光的方式來(lái)提供相應(yīng)的細(xì)小的激光光束照射到寫入點(diǎn),從而對(duì)盤片微粒進(jìn)行加熱的方式來(lái)輔助磁頭進(jìn)行寫入。硬盤的介質(zhì)被加熱后,其屬性就產(chǎn)生了變化,磁性微粒從而能夠按照一定的方向被磁化之后,數(shù)據(jù)位就形成了二進(jìn)制的表示。當(dāng)此行微粒快速冷卻之后,這些已經(jīng)可寫入磁盤的數(shù)據(jù)會(huì)變得穩(wěn)定,從而達(dá)到永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的。
由于HAMR輔助加熱的方式能夠突破超順磁效應(yīng)的限制,能夠采取更高密度的儲(chǔ)存方式,所以采用HARM技術(shù)之后,磁記錄密度將從目前垂直磁記錄所能達(dá)到的每平方英寸620GB提升至每平方英寸5~10TB,例如目前現(xiàn)有的2.5英寸移動(dòng)硬盤儲(chǔ)存能力大約為750GB,臺(tái)式機(jī)硬盤為3TGB,用上HAMR技術(shù)之后,2.5英寸硬盤可實(shí)現(xiàn)20TB的儲(chǔ)存能力,3.5臺(tái)式機(jī)硬盤則達(dá)到60TB儲(chǔ)存能力。
HAMR 在每塊磁盤上使用一種新型的介質(zhì)磁技術(shù),可使數(shù)據(jù)位變得比過去更小且密度更高,同時(shí)保持磁穩(wěn)定和熱穩(wěn)定。然后,為了寫入新數(shù)據(jù),連接到每個(gè)記錄磁頭的小型激光二極管會(huì)瞬間加熱磁盤上的一個(gè)小點(diǎn),從而使記錄磁頭每次翻轉(zhuǎn)單個(gè)位的磁極性,進(jìn)而達(dá)到寫入數(shù)據(jù)的目的。每個(gè)位會(huì)在一納秒內(nèi)完成加熱并冷卻,因此 HAMR 激光器對(duì)硬盤溫度或整個(gè)介質(zhì)的溫度、穩(wěn)定性或可靠性完全沒有影響。
目前2021年2月23日希捷科技宣布,云計(jì)算服務(wù)商騰訊云已率先將首款20TB熱輔助磁記錄(HAMR)硬盤引入騰訊云數(shù)據(jù)中心進(jìn)行集成測(cè)試。近日希捷正在開發(fā)第二代HAMR技術(shù),新款硬盤的容量可能將提升到30TB左右。根據(jù)其今年年初介紹了其產(chǎn)品和技術(shù)路線圖,期望可以在2026年之前推出50TB的硬盤,在2030年之前推出100TB的硬盤,并在下一個(gè)十年初期推出120TB以上的硬盤。
目前HARM技術(shù)還是存在挺大的困難點(diǎn),要么是新磁頭、新介質(zhì)、新碟片仍然達(dá)不到預(yù)期可靠水平,要么是良品率上不去、成本下不來(lái)。HAMR 將成為下一個(gè)重要的存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新,以增加可用存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量——即俗稱的磁盤“磁密度”。磁密度的這種提升將有助于在下一個(gè)十年推動(dòng)硬盤產(chǎn)品的發(fā)展和增長(zhǎng)。
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